[삼성전기] 제5회 1nside Edge 논문대상

by admin
2009-06-03
■ 응모자격
- 국내외 재학중인 대학 및 대학원생
(Post-Doc, 외국인 포함)

■ 응모분야 및 세부주제
(1) 소재기술 분야
고분자, 세라믹, 형광체, 복합재료, LTCC, 나노, 분산, MEMS, 박막 공정, 인쇄회로 기판 공정 (도금, 회로, 가공, bumping 등), 수동/능동소자 내장 기판, Supercapacitor
(2) 무선 분야
Analog & Digital IC Design, Wireless Communication Systems, Wireless Network Protocol Design and analysis, SoC for wireless application, Ad Hoc and Sensor Network
(3) 전력전자 분야
Display Power용 전력전자 기술, 대용량/고밀도 SMPS용 전력전자 기술, 신재생 에너지용 전력전자 기술, 열 / EMI/EMC 설계기술, SMPS 고효율 Topology 및 제어기술, SMPS Simulation Technology, 고밀도 트랜스
설계기술, Slim 및 고밀도 Power 기술, Digital Power 기술, Power ASIC Circuit Design 기술
(4) 기반기술 분야
열/유체 해석, 구조/진동 해석, 전자장/RF/회로/EMI 해석, 광학/광소자 해석, 재료 해석, 분자모델링, Multi-Physics 해석, Multi-scale 해석, Molecular dynamics simulation 나노 형태/성분 표면 분석, 유기/무기 화학 정량 정성 분석, 고분자 특성 분석, 결정구조 및 재료 물성 분석, 레이저 분광/계측/가공, 마이크로 소자 고장분석 및 신뢰성 향상 기술, 원자 탐침 분석 및 전자현미경 등 신 나노분석 평가법 개발, Bio chip
(5) 생산기술 분야
Electronic Packaging / Test, Plating, MCC (Micro Contamination Control) 기술, Yield / Failure Analysis , Visual Inspection, 지능 제어, 초정밀제어(위치, 속도, 토크), 광학계 설계 및 계측, 렌즈 설계 및 금형, 나노 가공(극소형 금형기술, 미세형상 성형기술), lithography, laser 가공, 전기/전자 계측

■ 시 상 특 전
대 상 (1편) 700만원 - 박사 : 입사를 원하는 경우 입사 후 해외 Post-Doc지원 (1년)
석/학사 : 대여 장학생 자격 부여
금 상 (1편) 500만원 수상자 중 입사시 가점 부여
은 상 (1편) 300만원 수상자 중 입사시 가점 부여
동 상 (5편) 100만원 수상자 중 입사시 가점 부여

■ 일정
- '09. 06. 29(월) : 논문 제목 및 초록 접수 마감 (삼성전기 홈페이지 www.sem.samsung.co.kr 등록)
- '09. 07. 10(금) : 1차 초록심사 결과 발표
- '09. 09. 14(월) : 2차 최종 논문 접수마감
- '09. 10. 05(월) : 2차 논문 심사 결과 발표
- '09. 10. 28(수) : 차 발표 심사 및 결과 발표 (시상식 일정은 추후 공지 예정)

■ 연락처
- 삼성전기 1nside Edge 논문대상 사무국
Tel : 031)300-7689 E-mail :inside_edge@samsung.com

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